大日本印刷株式会社、キヤノン株式会社、キオクシア株式会社の３社が共同で開発する「NILによる超微細半導体の省エネルギー加工技術」が、国立研究開発法人 国立環境研究所／日刊工業新聞社主催、環境省後援の「第49回 環境賞」で優良賞を受賞した。
３社は、半導体製造用の基板に微細パターンを転写する「NIL（ナノインプリントリソグラフィ）技術」で、最先端半導体で求められるナノメートルレベル（半導体プロセスの技術世代５ナノノードに相当）のパターン転写を実現している。今回の受賞に関しては、パターン転写工程での消費電力を従来手法に比べて約10分の１に抑え、IoT社会の急速な拡大を支える製造技術として注目されていることが高く評価された。

NIL技術は、半導体製造のリソグラフィ工程といわれる微細パターンを形成する工程で使われている。ArF（フッ素化アルゴン）液浸技術やEUV技術など従来の光露光技術と異なり、基板上に塗布した樹脂上に微細な凹凸パターンを形成した版を押し当てパターンを転写する。

これにより光の波長の制限がなく、製造工程がシンプルで装置規模も小さく、消費電力を増やさずに微細パターンを形成できる。また、従来の光による露光技術のような波長の制約がないため、将来のさらなる微細化にも対応できるパターン転写技術で、今後予想される半導体の微細化の進展に対しても、消費電力を上げることなく長期的にわたる製造技術として活用が期待される。

DNP企業広告（TVCM）から「市村のナノインプリントグラフィ」篇
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